在三星电子SSD商业化进程中,NAND闪存创新发挥了重要作用。2006年,三星电子所研发的克服浮栅(FloatingGate)技术局限性的CTF(ChargeTrap Flash)NAND技术,为SSD的发展带来重大成功。基于这项技术,三星电子将40nm32Gb NAND闪存应用在SSD的,并成功地实现了产品商业化。
983 ZET: 基于PCI Express Gen3 x4。随机性能是通过在Cent OS 7.0 中使用 FIO工具,利用4个worker线程,对队列深度=32的数据进行测量。顺序性能是利用1个worker线程,对队列深度=32的数据进行测量。实际性能可能因使用条件和环境的不同而异。在顺序性能中使用1 MB/s = 1,000,000字节/秒。
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